CAS Latency (CL)

Il ritardo tra il comando di lettura e l'inizio del trasferimento dei dati

RAS Precharge Time

Il tempo necessario per preparare una nuova riga di dati per l'accesso

RAS to CAS Delay (tRCD)

Il tempo di attesa tra l'attivazione di una riga e l'accesso a una colonna all'interno di quella riga

Localizzazione spaziale

I programmi tendono a richiedere dati fisicamente vicini a quelli appena utilizzati, come nel caso della lettura sequenziale di un array

Localizzazione temporale

I programmi tendono a richiedere più volte lo stesso dato in un breve lasso di tempo, come accade nei loop di calcolo

Memorie SRAM

Memorie ad alta velocità di accesso, ideali per l'uso come memoria cache nei processori

Memorie flash

Memorie flash NOR

Consentono l'accesso casuale ai singoli bit e sono adatte per memorizzare codice eseguibile

Memorie flash NAND

Più efficienti per l'archiviazione di grandi quantità di dati e comunemente utilizzate nei Solid State Drives (SSD)

Organizzazione a matrice

Le celle sono composte da un transistor e un condensatore che immagazzinano i dati sotto forma di carica elettrica

Refresh periodico

Le celle richiedono un rinfresco periodico per mantenere l'integrità dei dati

Chip SPD (Serial Presence Detect)

Fornisce informazioni vitali per la configurazione del sistema, come il tipo di memoria, il voltaggio richiesto, la frequenza di clock e le latenze supportate

Circuiti PMIC (Power Management Integrated Circuit)

Integrati per una gestione ottimale del consumo energetico

Differenze tra memorie per server e PC domestici

Le memorie per server possono differire per caratteristiche come la tensione di funzionamento e la presenza di funzionalità aggiuntive come l'ECC (Error-Correcting Code)

Dispositivi avanzati

Estendono le capacità dell'SPD, migliorando la gestione degli accessi e l'equilibrio del carico tra i bus interni ed esterni